異種接合型パワー半導体デバイスを開発する株式会社ヘテロスタックス（所在地：東京都千代田区、代表取締役CEO：佐々木 公平、以下「ヘテロスタックス」）は、UntroD Capital Japan株式会社（所在地：東京都港区、代表取締役社長：永田 暁彦）が運営するリアルテックファンド4号投資事業有限責任組合を引受先とする第三者割当増資を行ったことをお知らせいたします。
今回の資金調達により、ヘテロスタックスはシリコン(Si)とシリコンカーバイド(SiC)を直接接合した独自の異種接合型パワー半導体デバイスの研究開発を加速します。生成AIの普及に伴い急増するAIデータセンターの電力需要に対し、電力変換損失の低減による省エネルギー化を実現し、持続可能なデジタル社会の構築に貢献してまいります。
企業概要
ヘテロスタックスは、異なる半導体材料を直接接合する「異種接合アーキテクチャ」により、従来の単一材料デバイスでは両立が難しかった低損失化、高信頼性、低コスト化の実現を目指す大阪公立大学発スタートアップです。
生成AIの普及やクラウドサービスの拡大に伴い、データセンターの電力消費量は急速に増加しています。また、EV、再生可能エネルギー、産業機器の電動化が進む中で、電力を効率よく変換・制御するパワー半導体の重要性は高まっています。当社は、シリコン（Si）の高い制御性・信頼性と、シリコンカーバイド（SiC）の高耐圧・低抵抗特性を組み合わせた独自のデバイス構造により、既存のパワー半導体が抱える、低損失化、高信頼性、低コスト化、実装容易性の間に存在するトレードオフの克服に挑んでいます。当社が開発するSi/SiC接合型トランジスタ「SABFET(TM)」*およびSi/SiC接合型ダイオード「JGSD(TM)」*は、データセンター電源をはじめとする中・高耐圧領域において、電力変換損失の低減に貢献することが期待されます。
代表取締役CEOの佐々木 公平は、酸化ガリウム（Ga2O₃）をはじめとする次世代半導体材料・デバイスの研究開発に長年従事し、国家プロジェクトの推進や事業化を主導してきました。当社は、異種材料接合とパワー半導体デバイス設計の知見を組み合わせ、AI・電動化社会の電力制約を解く日本発の次世代パワー半導体アーキテクチャの社会実装を目指します。
資金調達の目的と将来展望
今回の調達資金をもとに、JGSD(TM)の高耐圧性能の実証、異種接合技術の高度化、SABFET(TM)の要素技術確立、ならびに研究開発体制の強化等を推進していきます。
UntroD Capital Japan株式会社 取締役 山家 創氏コメント
パワー半導体は、AI・電動化社会の電力効率を左右する基盤技術です。ヘテロスタックスの異種接合アーキテクチャは、SiとSiCの強みを組み合わせることから出発し、将来的には材料の最適な組み合わせにより、単一材料デバイスの限界を超える可能性を持っています。
日本発の新たなパワー半導体アーキテクチャを世界へ展開すべく、リアルテックファンドとして全力で支援してまいります。
*SABFET(TM)およびJGSD(TM)は、株式会社ヘテロスタックスの出願商標です。
Webサイト
https://www.heterostax.com
本件に関するお問い合わせ先
株式会社ヘテロスタックス
担当：佐々木 公平
E-mail：sasaki@heterostax.com
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